Organic field-effect transistor sensor

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Abstract

Transistore comprendente almeno uno strato conduttivo (4), almeno uno strato dielettrico di gate (3) e almeno un film semiconduttore (1) depositato su uno strato di molecola recettore (2) precedentemente depositato o collegato in modo covalente alla superficie del gate dielettrico (3). Detto strato di materiale biologico è costituito da strati singoli o doppi di fosfolipidi, strati costituiti da proteine ​​quali recettori, anticorpi, canali ionici ed enzimi, singoli o doppi strati di fosfolipidi con inclusione o ancoraggio di proteine ​​quali: recettori, anticorpi, ionici canali ed enzimi, strati fatti di sonde oligonucleotidiche (DNA, RNA, PNA), strati fatti di cellule o virus, strati fatti di recettori sintetici per esempio molecole o macromolecole simili ai recettori biologici per proprietà, reattività o aspetti sterici.

Classe Tecnologica

C - Chemistry and Metallurgy

Patent Office

World Intellectual Property Organization

Numero Deposito

PCT/IT2011/000364

Anno Deposito

2011

Anno Concessione

Inventori Pugliesi

Tutti gli inventori

  • Torsi Luisa
  • Sabbatini Luigia
  • Palazzo Gerado
  • Cioffi Nicola
  • Mallardi Antonia
  • Magliuolo Maria
  • Angione Maria Daniele
  • Cotrone Serafina

Titolari pugliesi

Tutti i titolari

  • Università Degli Studi Di Bari Aldo Moro
  • Consiglio Nazionale Delle Ricerche