Abstract

In this work we develop surface-micromachinedRF MEMS switches in III-V technology making use ofmaterials which can be alternative to the ones commonly used.In this way, some technological constraints concerning RFMEMS reliability can be overcome. Specifically, we evaluatethe potential of tantalum nitride (TaN) and tantalumpentoxide (Ta2O5) to be used for the switches actuation padsand dielectric layers, respectively. To this scope, acompositional, structural and electrical characterization ofTaN and Ta2O5 films as a function of the depositionparameters (temperature, sputtering mixture composition, andfilm thickness) is performed. Both shunt and series switchesare prepared and show good switching capabilities by apreliminary analysis. The complete device characterization isin progress and will be presented.

Autore Pugliese

• Cola Adriano , Persano Anna , Taurino Antonietta , Quaranta Fabio , Martucci Maria Concetta , Creti' Pasquale , Siciliano Pietro Aleardo

Tutti gli autori

• Persano A.; Quaranta F.; Cola A.; Martucci M.C.; Cretì P.; Taurino A.; Siciliano P.; Marcelli R.; De Angelis G.; Lucibello A.

Titolo volume/Rivista

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Anno di pubblicazione

2010

ISSN

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ISBN

978-2-35500-011-9

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