A field-effect transistor sensor

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Abstract

La struttura del dispositivo proposta nella domanda di brevetto no. EP 16207596.4 è stata migliorata per rendere il dispostivo piu’ stabile.

Classe Tecnologica

C - Chemistry and Metallurgy

Patent Office

European Patent Office

Numero Deposito

17177349.2

Anno Deposito

2017

Anno Concessione

Inventori Pugliesi

Tutti gli inventori

  • Torsi Luisa
  • Palazzo Gerardo
  • Scamarcio Gaetano

Titolari pugliesi

Tutti i titolari

  • Università Degli Studi Di Bari Aldo Moro