Abstract

This work enlighten on the modification of the electrical and optoelectronic properties at metal/silicon interface, where the silicon surface is nanostructured by single step mask-less CF4 plasmain reactive ion etching mode. The electrical transport across metal/nanotextured silicon/siliconstructure has been correlated with morphological variations of surface topological features andchemistry. The results evidence that such nanostructures enhance the photovoltaic behavior andaffect electrical and optoelectronic transport to a different extent, depending not only on surfacetexturing but also on surface chemistry.

Autore Pugliese

• Palumbo Fabio , Ambrico Marianna , Ambrico Paolo Francesco

Tutti gli autori

• M. Ambrico; R. Di Mundo; P.F. Ambrico; R. d'Agostino;T. Ligonzo; F. Palumbo

Titolo volume/Rivista

Journal of applied physics

Anno di pubblicazione

2012

ISSN

1089-7550

ISBN

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