Abstract

Nanocrystalline diamond (NCD) films with and without a diamond buffer layer (BL) have been grown on p-type silicon substrates by microwave plasma enhanced chemical vapor deposition technique at different values of deposition temperature (652-884°C). The photo- and thermionic electron emission properties of NCD films have been investigated, illustrated and explained by analyzing the surface morphology and the grain shape determined by atomic force microscopy, the chemical-structural properties by Raman spectroscopy and nanocrystallites size by X-ray diffraction. The NCD films with BL grown at the highest deposition temperature have shown the highest photo- and thermionic emission currents.

Autore Pugliese

• Cicala Grazia

Tutti gli autori

• G. Cicala; V. Magaletti; A. Valentini; M.A. Nitti; A. Bellucci; D.M. Trucchi

Titolo volume/Rivista

Applied surface science

Anno di pubblicazione

2014

ISSN

0169-4332

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