Abstract

We report a very simple, robust, and reliable on-chip fabrication method of a chemoresistive sensor based on silicon nanowires (NWs). Our method permits the use of nanowires without the need of their removal and transfer to a support different from the growth substrate. Our method, completely based on the silicon technology platform, exploits nanowires directly grown onto a selected area, over and between pre-patterned, interdigitated electrodes defined on oxidized silicon. The fabricated sensor is capable to detect NO2 down to a few ppb levels operating at room temperature. The sensor characteristics benefit of the presence of self-welded nanowires.

Autore Pugliese

• Cuscuna' Massimo

Tutti gli autori

• M. Cuscunà; A. Convertino; E. Zampetti; A. Macagnano; A. Pecora; G. Fortunato; L. Felisari; G. Nicotra; C. Spinella; F. Martelli

Titolo volume/Rivista

Applied physics letters

Anno di pubblicazione

2012

ISSN

0003-6951

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