Abstract

The memory-like behavior of melanin biopolymer under electrical stimuli is shown throughelectrical transport characterization performed on melanin based metal insulator semiconductorstructures on silicon. The presence of a memory window and retention behavior is verified bycapacitance-voltage read outs before and after the application of voltage pulses. Interestingly, thesephenomena occur without the presence of metallic nanoclusters enclosed in the melanin matrix.Charge trapping is considered the main mechanism responsible for the melanin memory-likecharacter. The inability to erase the memory window has been ascribed to the permanentpolarization effect during the application of the voltage pulse.

Autore Pugliese

• Ambrico Marianna , Ambrico Paolo Francesco , Cardone Antonio , Cicco Stefania Roberta

Tutti gli autori

• M. Ambrico; P. F. Ambrico; T. Ligonzo; A. Cardone; S. R. Cicco; A. Lavizzera;V. Augelli; G. M. Farinola

Titolo volume/Rivista

Applied physics letters

Anno di pubblicazione

2012

ISSN

1077-3118

ISBN

Non Disponibile

Numero di citazioni Wos

Nessuna citazione

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Numero di citazioni Scopus

Non Disponibile

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Settori ERC

Non Disponibile

Codici ASJC

Non Disponibile