Abstract

P-doped microcrystalline silicon films (?c-Si:H(p)) have been deposited by plasma-enhanced chemical vapour deposition(PECVD) using low RF power, from a silane and trimethylboron (SiH4/B(CH3)3) mixture diluted in helium (He) and hydrogen (H2). Thematerial has been optically, electrically and structurally characterised. This work focuses on the effect of depletion regime on the propertiesof ?c-Si:H(p). Four deposition parameters have been explored, all of them determining the amount of energy supplied per gas molecule,specifically the pressure (P), the total mass-flow (?T), the He- and H2-dilution – D(He) and D(H2) – and the applied radio-frequency power(RFP). The material developed here is intended to be used in the future as a BSF (back surface field) in silicon-heterojunction (SHJ) solarcells with a metal/TCO/a-Si:H(n)/c-Si(p)/?c-Si:H(p+)/metal configuration.

Autore Pugliese

• Losurdo Maria

Tutti gli autori

• A. Casado; I. Torres; J.D. Santos; R. Barrio; J. J. Gandia; J. Carabe; G. Bianco; M. Losurdo; G. Bruno

Titolo volume/Rivista

ScienceJet

Anno di pubblicazione

2012

ISSN

2278-3393

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