Electrical transport features of SiNWs random network on Si support after covalent attachment of new organic functionalities

Abstract

Modification  of  the  electrical  transport  of  arandom  network  of  silicon  nanowires  assembled  on  n-silicon  support,  after  silicon  nanowires  functionalization by  chlorination/alkylation  procedure  ,  is  here  described and  discussed.  We  show  that  the  organic  functionalities induce  charge  transfer  at  single  SiNW  and  produce doping-like effect that is kept in the random network too. The  SiNWs  network  also  presents  a  surface recombination  velocity  lower  than  that  of  bulk  silicon. Interestingly,  the  functionalized  silicon  nanowires/n-Si junctions  display  photo-yield  and  open  circuit  voltages higher  than  those  including  oxidized  silicon  nanowire networks.  Electrical  properties  stability  in  time  of junctions  embedding  propenyl  terminated  siliconnanowires  network  and  transport  modification  aftersecondary  functionalization  is  also  shown.  These  results suggest  a  possible  route  for  the  integration  of functionalized  Si  nanowires,  although  randomly distributed,  in stable  large  areasensitive based devices.


Tutti gli autori

  • M. Ambrico ; P.F. Ambrico; R. di Mundo

Titolo volume/Rivista

Nanomaterials and Nanotechnology


Anno di pubblicazione

2012

ISSN

1847-9804

ISBN

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