Abstract

Self-heating-related instabilities have been investigatedin p-channel polycrystalline-silicon thin-film transistor,showing an anomalous transconductance (gm) increase. The gmincrease is a fingerprint of edge effects, resulting from a buildupof positive trapped charge in the gate oxide at the channel edges.This was confirmed by the annihilation of such positive chargesobtained by sequential hot-carrier bias-stress experiments. Fromthe analysis of the edge effects in devices with different channellengths, we were able, using 2-D numerical simulations, to determinethe size of the defected edge regions to be 400 nm.

Autore Pugliese

• Cuscuna' Massimo

Tutti gli autori

• L. Mariucci; P. Gaucci; A. Valletta; A. Pecora; L. Maiolo; M. Cuscunà; G. Fortunato

Titolo volume/Rivista

IEEE electron device letters

Anno di pubblicazione

2011

ISSN

0741-3106

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