Abstract

Future system-on-panel applications require further performance improvement of circuits based on polycrystalline silicon thin film transistors (TFTs). The biggest leverage in circuit performance can be obtained by reducing channel length from the typical current values of 3-6mm to 1mm, or less. Therefore, short channel effects in scaled down polysilicon TFTs will have to be controlled in order to allow proper operation of the circuits. In this work we review a number of specific aspects of the electrical characteristics of short channel devices (channel lengths down to 0.4 mm) combining electrical characteristics measurements and two-dimensional numerical simulations.

Autore Pugliese

• Cuscuna' Massimo

Tutti gli autori

• Fortunato G.; Cuscunà M.; Gaucci P.; Maiolo L.; Mariucci L.; Pecora A.; Valletta A.

Titolo volume/Rivista

Non Disponibile

Anno di pubblicazione

2010

ISSN

Non Disponibile

ISBN

Non Disponibile

Numero di citazioni Wos

Nessuna citazione

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Numero di citazioni Scopus

Non Disponibile

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Settori ERC

Non Disponibile

Codici ASJC

Non Disponibile