Abstract

Capacitance-Voltage characteristics of a metal-semiconductor-metal structure with an embedded two-dimensional electron system are reported. The device functions based on a quantum capacitance, which is activated by local illumination. The giant sensitivity to light and voltage makes this device a candidate for capacitive-based photodetection. © OSA 2013.

Autore Pugliese

• Cola Adriano , Persano Anna , Quaranta Fabio

Tutti gli autori

• Dianat P.; Persano A.; Quaranta F.; Cola A.; Nabet B.

Titolo volume/Rivista

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Anno di pubblicazione

2013

ISSN

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ISBN

9781557529879

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