Melanin layer on silicon: an attractive structure for a possible exploitation in bio-polymer based metal-insulator-silicon devices

Torna indietro

Abstract

Synthetic melanin based metal-insulator-semiconductor devices are fabricated for the first time thanks to silicon surface wettability modification by using dielectric barrier discharge plasma. Ambipolar charge trapping in air and ion drift mechanisms under vacuum are identified by capacitance-voltage hysteresis loops. These results aim to foresee the possible integration of synthetic melanin layers as a novel capacitor in organic polymer based devices.

Autore Pugliese

Tutti gli autori

  • FARINOLA G.M. ;LIGONZO T.

Titolo volume/Rivista

Non Disponibile

Anno di pubblicazione

2011

ISSN

0935-9648

ISBN

Non Disponibile

Numero di citazioni Wos

Nessuna citazione

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Numero di citazioni Scopus

44

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Settori ERC

Non Disponibile

Codici ASJC

Non Disponibile