Abstract

We report on a new photodetector fabricated using carbon nanostructures grown on a silicon substrate. This device exhibits low noise, a good conversion efficiency of photons into electrical current and a good signal linearity in a wide range of radiation wavelengths ranging from ultraviolet to infrared at room temperature. The maximum quantum efficiency of 37% at 880 nm has been measured without signal amplification. Such innovative devices can be easily produced on large scales by Chemical Vapour Deposition (CVD) through a relatively inexpensive chemical process, which allows large sensitive areas from a few mm2 up to hundreds of cm2 to be covered.

Autore Pugliese

• Valentini Antonio

Tutti gli autori

• VALENTINI A.

Titolo volume/Rivista

Non Disponibile

Anno di pubblicazione

2012

ISSN

1748-0221

ISBN

Non Disponibile

Numero di citazioni Wos

12

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Numero di citazioni Scopus

12

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Settori ERC

Non Disponibile

Codici ASJC

Non Disponibile