Abstract

A new class of radiation detectors based on carbon nanostructures as the active photosensitive element has been recently developed. In this scenario the optimization of the device, both in dark and on light irradiation, is a crucial point. Here, we report on electrical measurements performed in dark conditions on carbon nanofibers and nanotubes deposited on silicon substrates. Our experimental results were interpreted in terms of a multistep tunneling process occurring at the carbon nanostructures/silicon interface. (C) 2010 Elsevier B.V. All rights reserved.

Autore Pugliese

• Valentini Antonio , Ligonzo Teresa

Tutti gli autori

• VALENTINI A.;LIGONZO T.

Titolo volume/Rivista

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Anno di pubblicazione

2011

ISSN

0168-9002

ISBN

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