Abstract

We compare the electrical power dependence of the lattice temperature and the electronic temperature of GaAs/AlxGa1-xAs THz quantum cascade lasers (QCLs) with different active region schemes, as extracted by the analysis of microprobe band-to-band photoluminescence experiments. Thermalized non-equilibrium distributions are found in all classes of QCLs. While in the case of bound-to-continuum structures all subbands share the same temperature, the upper laser level of active regions based on the resonant-phonon scheme heats up by ΔT ~ 100 K with respect to lower energy levels. The comparison among samples with different Al mole fractions show that the use of smaller x values leads to larger electronic temperatures.

Autore Pugliese

• Spagnolo Vincenzo Luigi

Tutti gli autori

• Scamarcio G. , Vitiello M.S. , Spagnolo V.

Titolo volume/Rivista

JOURNAL OF INFRARED, MILLIMETER, AND TERAHERTZ WAVES

Anno di pubblicazione

2013

ISSN

1866-6892

ISBN

Non Disponibile

Numero di citazioni Wos

Nessuna citazione

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Numero di citazioni Scopus

Non Disponibile

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Settori ERC

Non Disponibile

Codici ASJC

Non Disponibile