Abstract

The aim of this paper is to model and characterize the current voltage characteristics of Schottky Barrier (SB) Carbon NanoTube Field Effect Transistors (SB-CNTFETs) below and above threshold, in order to evaluate the noise margin and output voltage swing, whose values are necessary in the design of digital circuits

Autore Pugliese

• Perri Anna Gina

Tutti gli autori

• MARANI R. , PERRI A

Titolo volume/Rivista

INTERNATIONAL JOURNAL OF RESEARCH AND REVIEWS IN APPLIED SCIENCES

Anno di pubblicazione

2012

ISSN

2076-734X

ISBN

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