Abstract

The aim of this paper is to present a comparison of electro-thermal performance of two HBTs based on Si/SiGe and on AlGaAs/GaAs, by means of an analytical electro-thermal model, already proposed by us, able to calculate the temperature and current distribution for any integrated device, whose structure can be represented as an arbitrary number of superimposed layers with a 2-D embedded thermal source

Autore Pugliese

• Perri Anna Gina

Tutti gli autori

• MARANI R. , PERRI A

Titolo volume/Rivista

INTERNATIONAL JOURNAL OF RESEARCH AND REVIEWS IN APPLIED SCIENCES

Anno di pubblicazione

2012

ISSN

2076-734X

ISBN

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