Abstract

In this paper we present a simple model of Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs), whose main objective is to obtain a very good agreement between measured and simulated I-V curves through a best-fitting procedure, particularly in the knee and saturation regions. To verify the accuracy of the model, the results have been compared with those of experimental data and of a numerical model online available.

Autore Pugliese

• Perri Anna Gina

Tutti gli autori

• R. Marani , Perri A

Titolo volume/Rivista

INTERNATIONAL JOURNAL OF ADVANCES IN ENGINEERING AND TECHNOLOGY

Anno di pubblicazione

2013

ISSN

2231-1963

ISBN

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