Abstract

A DC model of Carbon Nanotube Field Effect Transistors (CNTFETs) for CAD applications is proposed. The main objective is to obtain a very good agreement between measured and simulated I-V curves through a best-fitting procedure, particularly in the knee and saturation regions. To verify the accuracy of the model, the results have been compared with those of experimental data and of a numerical model online available, obtaining a negligible relative error in both cases. The proposed model can be easily implemented in an electrical simulator and the computational time is very short.

Autore Pugliese

• Perri Anna Gina

Tutti gli autori

• MARANI R , PERRI A

Titolo volume/Rivista

INTERNATIONAL JOURNAL OF ELECTRONICS

Anno di pubblicazione

2012

ISSN

0020-7217

ISBN

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