Abstract

We report on the photoluminescence (PL) of GaAs-Al0.32Ga0.68As core-shell nanowires grown by MOVPE, and its dependence on the precursors V:III molar ratio utilized in the vapor during growth. It is shown that the PL emission of the GaAs nanowire core red-shifts with decreasing the V:III ratio from 30:1 to 4:1, an effect tentatively ascribed to the build-up of a space-charge region at the core-shell hetero-interface, the latter associated to the unintentional incorporation of impurities, namely C in GaAs and Si in AlGaAs.

Autore Pugliese

• Lovergine Nicola

Tutti gli autori

• P. Prete , N. LOVERGINE , I. Miccoli , F. Marzo , J.S. Burger , G. Salviati , L. Lazzarini

Titolo volume/Rivista

MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIA PROCEEDINGS

Anno di pubblicazione

2010

ISSN

0272-9172

ISBN

Non Disponibile

Numero di citazioni Wos

Nessuna citazione

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Numero di citazioni Scopus

Non Disponibile

0

Ultimo Aggiornamento Citazioni

28/04/2018

Settori ERC

Non Disponibile

Codici ASJC

Non Disponibile