Abstract

The different approaches being currently explored for the fabrication of free-standing quasi-1D nanostructures of III-V compound semiconductors utilizing the MOVPE technology are reviewed: major limitations and advantages are discussed. In particular, we focus on the self-assembly of semiconductor nanowires by the so-called metal-catalyst assisted ― or VLS ― mechanism. The latter is currently considered a most promising technology for the realization of high quality quasi-1D nanostructures. Examples of this approach are given based on results obtained in the author’s laboratory using low pressure MOVPE to growth nanowire structures of III-As compounds.

Autore Pugliese

• Lovergine Nicola

Tutti gli autori

• P. Prete , N. LOVERGINE

Titolo volume/Rivista

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Anno di pubblicazione

2010

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