Abstract

The paper presents some experimental results obtained for RF-MEMS phase shifters in X-band. Two different phase shifters are considered: a loaded-line and a reflect-line phase shifter. Both devices have been monolithically manufactured on a 525 μm -thick high resistivity silicon substrate. The realized samples exhibit a good agreement between simulated and measured results. Moreover, excellent performance in terms of phase shift have been obtained for the two phase shifters: measurements show a phase error of 0.5% in the case of the loaded-line type and of 4.7% in the case of the reflect-line type.

Autore Pugliese

• Monti Giuseppina , Tarricone Luciano

Tutti gli autori

• F. Congedo , G. Monti , L. Tarricone , P. Farinelli , E. Chiuppesi , R. Sorrentino , J. Iannacci , V. Mulloni , B. Margesin

Titolo volume/Rivista

Non Disponibile

Anno di pubblicazione

2010

ISSN

Non Disponibile

ISBN

Non Disponibile

Numero di citazioni Wos

Nessuna citazione

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Numero di citazioni Scopus

Non Disponibile

Ultimo Aggiornamento Citazioni

Non Disponibile

Settori ERC

Non Disponibile

Codici ASJC

Non Disponibile