Abstract

In this work, we studied the effect of some growth parameters on the polarization behavior of InAs/GaAs closely stacked quantum dot (CSQDs). In particular, we focused on the surface reconstruction time of GaAs spacer, its thickness and the number of QD layers. We found that the most effective parameter to enhance the TM/TE intensity ratio is the surface reconstruction time of the GaAs spacer before the subsequent QD deposition. By varying this parameter between 20 s and 120 s, a TM/TE ratio as high as 0.86 has been achieved. A further fine tuning of GaAs spacer thickness and QD layer number increased this ratio up to a value of 0.92 in structures containing only 3 QD layers.

Autore Pugliese

• De Vittorio Massimo

Tutti gli autori

• L. Fortunato , M.T. Todaro , V. Tasco , M. De Giorgi , M. De Vittorio , R. Cingolani , A. Passaseo

Titolo volume/Rivista

SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES

Anno di pubblicazione

2010

ISSN

0749-6036

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